В напівпровіднику p-типу основними носіями є дірки (рр), а власні електрони – неосновні носії (мал. 7).
В напівпровідниках p-типу основними носіями заряду є дірки, а електрони — неосновними.
Напівпровідники, у яких основними носіями зарядів є електрони, називають напівпровідниками п–типу. Домішки, що «захоплюють» електрони атомів кристалічних решіток напівпровідників, називаються акцепторними. Напівпровідники, у яких основними носіями зарядів є дірки, називають напівпровідниками р–типу.
Напівпровідники p-типу отримують методом легування власних напівпровідників акцепторами. Для напівпровідників четвертої групи періодичної таблиці, таких як кремній та германій, акцепторами можуть бути домішки хімічних елементів третьої групи — бор, алюміній.
Напівпровідни́к n-ти́пу — напівпровідник, в якому основні носії заряду — електрони провідності. Для того, щоб отримати напівпровідник n-типу, власний напівпровідник легують донорами. Здебільшого це атоми, які мають на валентній оболонці на один електрон більше, ніж атоми напівпровідника, який легується.
p-n перехі́д (електронно-дірковий перехід) — область контакту напівпровідників p- та n-типу всередині монокристала напівпровідника, в якій відбувається перехід від одного типу провідності до іншого. Ця область характеризується одностороннім пропусканням електричного струму.
Напівпровідни́к p-ти́пу — напівпровідник, в якому основними носіями заряду є дірки. Напівпровідники p-типу отримують методом легування власних напівпровідників акцепторами. Для напівпровідників четвертої групи періодичної таблиці, таких як кремній та германій, акцепторами можуть бут…