Чи можна ставити оперативну пам’ять з різною частотою, обсягом, таймингами, напругою і виробником

Заздалегідь обмовлюся, що вся інформація про встановлення різної оперативної пам’яті на одному пристрої наводиться для модулів RAM сучасної пам’яті DDR4 / DDR4L і DDR3 / DDR3L, на більш старому обладнанні різні нюанси з працездатністю траплялися частіше.

Різний обсяг планок оперативної пам’яті

Перше і найчастіше питання: чи можна встановлювати оперативну пам’ять різного об’єму і чи буде вона працювати. Коротка відповідь – так, все буде в порядку і працювати вона буде.

Найважливіший нюанс при установці: якщо на комп’ютері або ноутбуці буде використовуватися пам’ять різного об’єму, вона не буде працювати в двоканальному (Dual-channel) режимі. Тобто буде працювати повільніше, ніж в разі використання двох однакових за обсягом планок. Для сучасних топових систем з підтримкою чотирьохканального режиму роботи пам’яті це теж відноситься.

Зазвичай, це не помітно, але є сценарії, коли різниця проявляється і буває відчутною: наприклад, при використанні інтегрованого відео: перевага FPS при роботі пам’яті в двоканальному режимі може бути в районі 10-25%.

Також про всяк випадок зазначу в цьому розділі ще один момент, з яким користувачі часто звертаються – про максимальний розмір планки пам’яті. Пам’ятайте: коли для вашого ноутбука з двома слотами позначений максимальний обсяг 16 Гб (числа просто для прикладу), а для ПК з 4 слотами – 32 Гб, це майже завжди означає, що ви можете встановити цей максимум тільки заповнивши всі слоти рівними за обсягом модулями RAM. Тобто в першому випадку не можна використовувати просто одну планку на 16, а в другому – дві по 16 (для інших максимумів логіка та ж сама). Однак, у випадку з ПК бувають винятки і краще ознайомитися з документацією до материнської плати.

Чи можна ставити пам’ять з різною частотою і таймингами

Відповідь на це питання для пам’яті DDR4 і DDR3 – практично завжди так. Пам’ять буде працювати. Але робитиме це на частотах і таймінгах менш продуктивною планки пам’яті. Проблем з двоканальним режимом зазвичай також не виникає (за умови однакового обсягу пам’яті кожного модуля).

Якщо з якоїсь причини частота і таймінги менш продуктивного модуля RAM не підтримуються більш швидкою планкою, то БІОС виставить ті параметри (ще нижче), які будуть безпечні і підтримуються обома модулями: така знайдеться, так як всі вони в будь-якому випадку можуть працювати з базовими параметрами для свого типу пам’яті.

Установка RAM з різною напругою — 1.35 В і 1.5 В

У продажу є модулі пам’яті DDR4 і DDR3 з напругою 1.5 вольт і модулі DDR4L і DDR3L з напруга 1.35 вольт. Чи можна їх поєднувати і чи будуть вони працювати. В даному питанні відповідь вже менш однозначна:

• Оперативна пам’ять 1.35 В може працювати і з напругою 1.5 вольт. Таким чином, якщо спочатку на вашому ноутбуці або комп’ютері була встановлена планка з більш високою напругою, а ви додали з більш низьким – все буде в порядку.
• Пам’ять 1.5 В не працюватиме на материнській платі, де можливе використання тільки 1.35 В. Зазвичай мова йде про ноутбуки. При цьому або ви побачите повідомлення про те, що пам’ять не підтримується при включенні ноутбука, або не побачите нічого (чорний екран).

Останній пункт має свої нюанси: справа в тому, що незважаючи на те, що на деяких ноутбуках при продажу встановлюється пам’ять з низькою напругою, вони також підтримують і більш високу напругу. Однак, якщо ви не знайшли чіткої офіційної інформації про це на офіційному сайті або в документації, краще не ризикувати.

Чи буде працювати оперативна пам’ять різних виробників на одному комп’ютері або ноутбуці

Так буде. За умови, що всі інші моменти і відмінності були враховані при покупці модулів пам’яті, відмінності виробників не призводять до проблем з працездатністю, хоча таке і траплялося на старих системах близько 20 років тому.

І, на завершення, щоб не зробити помилок при придбанні додаткової оперативної пам’яті, настійно рекомендую знайти офіційну документацію до вашої материнської плати (якщо мова йде про настільний комп’ютер) або вашого ноутбука, зазвичай там присутній розділ, що відноситься до апгрейду RAM. Якщо ж не вдається знайти потрібну інформацію, не соромтеся звернутися в службу підтримки виробника, зазвичай вони відповідають. Самостійне комп’ютерне обслуговування може зашкодити вашому комп’ютеру, рекомендуємо звертатися к професіоналам.

ІТ-аудит для Вашої компанії Проведемо експертизу техніки і ПО, оцінимо компетентність ІТ-персоналу, виявимо проблеми та можливі ризики. Ви отримаєте об’єктивну інформацію про роботу вашої технічної служби, перелік заходів щодо оптимізації витрат і концепцію розвитку ІТ-інфраструктури дізнатися більше

Наші фахівці забезпечать комплексну підтримку інформаційно-технічної системи Вашої компанії. Перелік послуг включає:

• Діагностику
• Налаштування, налагодження, ремонт комп’ютерної техніки, серверного, мережевого устаткування
• Забезпечення злагодженої роботи всіх елементів ІТ інфраструктури
• Адміністрування корпоративних сервісів
• Консультування персоналу.

ІТ аутсорсинг від VOLL – це максимально вигідна пропозиція з можливістю отримати професійне обслуговування і високий рівень сервісу за доступною ціною.

DDR4 vs. DDR3: порівняльне тестування оперативної пам’яті

Випуск платформи Socket LGA1151 нарешті дозволив порівняти між собою пам’ять стандартів DDR4 і DDR3 у рівних умовах. Однак перш ніж перейти до результатів тестування, пропонуємо спочатку більш детально дослідити відмінності між даними типами модулів. Це дасть нам краще уявлення про те, чого варто очікувати від нової пам’яті не тільки зараз, але й у найближчому майбутньому.

За розробку стандарту DDR4 асоціація JEDEC взялася ще в 2005 році. У ті часи в магазинах ще повних ходом продавалися планки DDR2, і тільки планувався серійний випуск модулів DDR3. Іншими словами, інженери вже тоді розуміли, що можливості даних стандартів обмежені й рано чи пізно вони стануть лімітувати або зовсім не відповідати рівню інших комплектуючих ПК.

Причому мова йде не тільки про пропускну здатність пам’яті, але й про такі важливі характеристики, як енергоспоживання модулів і їхній об’єм. Як можна переконатися з даної діаграми, планки DDR4 обходять своїх попередників за всіма параметрами.

Збільшення пропускної здатності

Пропускна здатність підсистеми пам’яті прямо залежить від швидкості роботи модулів: чим вона вища, тим швидше здійснюється запис і читання з пам’яті. Звичайно, далеко не всі додатки постійно обмінюються великими масивами даних, тому в реальних умовах експлуатації користувач може й не відчути переваги від встановлення більш продуктивних комплектів. Але якщо ми говоримо про спеціалізовані програми на зразок відео- і фоторедакторів, CAD-систем або засобів для створення 3D-анімації, то результат від застосування швидкісних модулів уже виявиться куди істотнішим. Також висока пропускна здатність підсистеми пам’яті важлива при використанні вбудованої графіки. Адже в iGPU немає доступу до швидких чіпів GDDR5, тому вся необхідна йому інформація поміщається в оперативну пам’ять ПК. Відповідно, у цьому випадку встановлення більш продуктивних комплектів пам’яті прямо впливатиме на кількість FPS на екрані.

Для формату DDR3 стандартними є частоти від 1066 МГц до 1600 МГц, і лише недавно додалося значення 1866 МГц. Для DDR4 же мінімальна швидкість роботи починається з позначки 2133 МГц. Так, ви скажете, що модулі DDR3 можуть надолужити різницю за допомогою розгону. Але ж те ж саме доступно і для планок DDR4, у яких і розгінний потенціал вищий. Адже за допомогою оптимізації параметрів модулі DDR3 зазвичай беруть планку в 2400 – 2666 МГц, для DDR4 без проблем покоряються висоти в 2800 – 3000 МГц.

Якщо порівнювати стандарти DDR4 і DDR3 з погляду ентузіастів-оверклокерів, то й тут перевага буде на боці DDR4. Уже зараз досягнуте значення в 4838 МГц, але ж пройшов тільки один рік після анонсу нового формату. Нагадаємо, рекордною частотою розгону для модулів DDR3 є 4620 МГц, яка була зафіксована лише через 7 років після запуску стандарту DDR3 у виробництво. Одним словом, в плані швидкості роботи потенціал у пам’яті DDR4 дуже великий.

Поліпшення енергоефективності

Другою важливою перевагою модулів DDR4 є можливість функціонування на низьких напругах. Так, для їхньої коректної роботи на номінальних частотах (2133 – 2400 МГц) достатньо всього лише 1,2 В, що на 20% менше, аніж у їхніх попередників (1,5 В). Щоправда, з часом на ринок була виведена енергоефективна пам’ять стандартів DDR3L і DDR3U з напругою живлення 1,35 і 1,25 В відповідно. Однак вона коштує дорожче і має ряд обмежень (як правило, її частота не перевищує 1600 МГц).

Також пам’ять DDR4 одержала підтримку нових енергозберігаючих технологій. Наприклад, модуль DDR3 використовує тільки одну напругу Vddr, яка для виконання деяких операцій підвищується за допомогою внутрішніх перетворювачів. Тим самим генерується зайве тепло та зменшується загальна ефективність підсистеми пам’яті. Для планки стандарту DDR4 специфікація передбачає можливість одержання цієї напруги (Vpp, рівна 2,5 В) від зовнішнього перетворювача живлення.

Пам’ять DDR4 також одержала вдосконалений інтерфейс введення/виведення даних під назвою «Pseudo-Open Drain» (POD). Від використовуваного раніше Series-Stub Terminated Logic (SSTL) він відрізняється відсутністю витоку струму на рівні драйверів комірок пам’яті.

У цілому ж використання всього комплексу енергоефективних технологій повинно привести до 30%-ого виграшу в енергоспоживанні. Можливо, у рамках настільного ПК це здасться несуттєвою економією, але якщо мова йде про портативні пристрої (ноутбуки, нетбуки), то 30% – не таке вже і маленьке значення.

Модернізована структура

У максимальній конфігурації чіп DDR3 містить 8 банків пам’яті, тоді як для DDR4 доступно вже 16 банків. При цьому довжина рядка в структурі чіпа DDR3 становить 2048 байт, а в DDR4 – 512 байт. У результаті новий тип пам’яті дозволяє швидше перемикатися між банками та відкривати довільні рядки.

Мікроархітектура DDR4 передбачає використання 8-гігабітних чіпів, у той час як модулі стандарту DDR3, як правило, створюються на основі мікросхем ємністю 4 Гбіт. Тобто при однаковій кількості чіпів ми одержимо у два рази більший об’єм. На сьогоднішній день найпоширенішими є 4-гігабайтні модулі (до слова, це мінімальна ємність для планки пам’яті стандарту DDR4). Але в ряді закордонних країн пропонуються вже й більш ємні модулі: на 8 і навіть на 16 ГБ. Зауважте, що при цьому ми говоримо про масовий сегмент ринку.

Для вирішення ж вузькоспеціалізованих завдань без проблем можна створювати модулі ще більшого об’єму. Для цих цілей передбачені 16-гігабітні чіпи та спеціальна технологія для їхнього компонування в корпусі DRAM (Through-silicon Via). Наприклад, компанії Samsung і SK Hynix уже представили планки ємністю 64 і 128 ГБ. Теоретично ж максимальний об’єм одного модуля DDR4 може становити 512 ГБ. Хоча навряд чи ми коли-небудь побачимо практичну реалізацію таких рішень, оскільки їхня вартість буде надзвичайно високою.

Незважаючи на збільшення усіх основних характеристик, розміри планок пам’яті DDR4 і DDR3 залишилися порівнянними: 133,35 х 31,25 мм проти 133,35 х 30,35 мм відповідно. У фізичному плані змінилося лише розташування ключа та кількість контактів (з 240 їх число збільшилося до 288). Так що навіть при всьому бажанні модуль DDR4 ніяк не вдасться встановити у слот для пам’яті DDR3 і навпаки.

Новий інтерфейс зв’язку з контролером пам’яті

Новий стандарт пам’яті передбачає використання й більш прогресивної шини зв’язку модулів з контролером пам’яті. У стандарті DDR3 застосовується інтерфейс Multi-Drop Bus із двома каналами. При використанні відразу чотирьох слотів виходить, що два модулі підключені до одного каналу, що не найкращим чином позначається на продуктивності підсистеми пам’яті.

У стандарті DDR4 вдосконалили цей інтерфейс, застосувавши більш ефективну схему − один модуль на один канал. Новий тип шини одержав назву Point-to-Point Bus. Паралельний доступ до слотів однозначно кращий за послідовний, оскільки надалі дозволяє більш ефективно нарощувати швидкодію всієї підсистеми. Можливо зараз особливої переваги користувачі й не відчують, однак надалі, коли зростуть об’єми інформації, вона стане більш показовою. Адже саме за такою ж схемою розвивалася відеопам’ять GDDR і інтерфейс PCI Express. Тільки використання паралельного доступу дозволило значною мірою збільшити їхню продуктивність.

Однак шина Point-to-Point Bus накладає певні обмеження на кількість використовуваних модулів. Так, двоканальний контролер може обслуговувати тільки два слоти, а чотириканальний − чотири. При збільшенні об’ємів планок стандарту DDR4 це не настільки критично, але все-таки спочатку може викликати певні незручності.

Вирішується ця проблема досить простим способом − шляхом встановлення спеціального комутатора (Digital Switch) між контролером і слотами пам’яті. За принципом своєї дії він нагадує комутатор ліній PCI Express. У результаті користувачу, як і колись, буде доступно 4 або 8 слотів (залежно від рівня платформи), при цьому будуть використовуватися усі переваги шини Point-to-Point Bus.

Нові механізми виявлення та корекції помилок

Оскільки робота на високих швидкостях з великими стеками даних збільшує шанс виникнення помилок, то розробники стандарту DDR4 подбали про реалізацію механізмів для їхнього виявлення й попередження. Зокрема, у нових модулях присутня підтримка функції корекції промахів, пов’язаних з контролем парності команд і адрес, а також перевірка контрольних сум перед записом даних в пам’ять. На стороні ж самого контролера з’явилася можливість тестування з’єднань без використання ініціалізаційних послідовностей.